STMicroelectronics Silicon Carbide AB

STMicroelectronics Silicon Carbide AB i Norrköping tillverkar wafers av ledande och halvisolerande kiselkarbid (SiC) samt epitaxiella skikt av 4H-SiC-enkristall, som avsätts med CVD-epitaxi. Företaget har lång erfarenhet av att utveckla processteknik och SiC-produkter med enastående prestanda och kvalitet.

Man har utvecklat toppmoderna n-typs och halvisolerande SiC-substrat, och erbjuder tillhörande tjänster för wafer-epitaxi, karakterisering och polering. Materialen används i högpresterande halvledare för effekt- och högfrekvenselektronik. Tillämpningarna finns bland annat i effektelektronik för hybridbilar och industriell utrustning, vid kraftomvandling och kraftöverföring samt i basstationer för mobiltelefoni. Gemensamt för dem är att energi kan sparas och prestandan förbättras med SiC-komponenter och tillhörande systemlösningar.